深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！
氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設計難點，為此U8766通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
氮化鎵快充芯片U8766特點：
1、集成高壓 E-GaN
2、集成高壓啟動功能
3、超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
4、谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
5、集成 EMI 優(yōu)化技術
6、驅(qū)動電流分檔配置
7、集成 Boost 供電電路
8、集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內(nèi)過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
過流保護 (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
9、封裝類型 ESOP-10W
氮化鎵快充芯片U8766系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！