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充電器芯片SF1538DP極大提高了ic利用率

2023-04-04 10:37:34 

充電器芯片SF1538DP內(nèi)置4ms軟啟動(dòng),管腳浮空保護(hù),高效高保護(hù),極大的提高了ic 的利用率,是一顆暢銷ic。腳位分析如下:

1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。

2 VDD 芯片供電腳。

3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至 FB 管腳,用于CV 模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5-6 Drain 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

7-8 GND 芯片參考地。

1538.

充電器芯片SF1538DP主要特點(diǎn):

1、內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V

2、可編程外部過溫保護(hù)OTP

3、專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動(dòng)失敗

4、內(nèi)置軟啟動(dòng),管腳浮空保護(hù)

5、超低啟動(dòng)電流

6、內(nèi)置頻率抖動(dòng)改善EMI

7、內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償,逐周期電流限制

8、內(nèi)置前沿消隱

充電器芯片SF1538DP應(yīng)用場景:

1、手持?jǐn)?shù)碼適配器

2、電視/電腦輔助電源

3、手機(jī)/平板充電器

4、LED驅(qū)動(dòng)電源

5、替代線性電源

副邊反饋內(nèi)置MOS充電器芯片SF1538DP最大輸出功率15W,封裝DIP-8。需要更多詳細(xì)資料的小伙伴請聯(lián)系400-778-5088!

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