氮化鎵是提高功率密度和提高多種應用中電源系統(tǒng)和電源效率的關鍵一步。在設計中使用GaN的公司數(shù)量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關重要。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的氮化鎵快充芯片U8722DE，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。
氮化鎵快充芯片U8722DE主要特點：
1.集成高壓啟動功能
2.超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
3.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
4.集成 EMI 優(yōu)化技術
5.驅動電流分檔配置
6.集成 Boost 供電電路
7.集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內(nèi)過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
過流保護 (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
8.封裝類型 ESOP-7
氮化鎵快充芯片U8722DE和昂寶OB2733、南芯SC3055對比，功能更全，負壓采樣可靠性更高，有BOP，高壓啟動待機更優(yōu)、頻率更高，可調驅動。BOOST供電能做3.3~20V，SR輕載應力優(yōu)化。ESOP-7封裝比SOP-7 封裝尺寸大，同規(guī)格散熱更好。具體腳位如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6/7 GND P 芯片參考地
8DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵技術越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括HVAC系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。提前了解深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵快充芯片U8722DE，提前把握“芯”風向！