電源芯片S1108SA結合了一個專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，低待機功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本。
電源芯片S1108SA主要特點：
集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒壓精度
待機功耗<70mW
多模式原邊控制方式
工作無異音
優(yōu)化的動態(tài)響應
可調(diào)式線損補償
集成線電壓和負載電壓的恒流補償
集成完善的保護功能
電源芯片S1108SA引腳定義：
1 腳GND 芯片參考地。
2 腳VDD 芯片供電管腳
3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了 PWM 驅動信號的占空比和 CS 管腳的關斷電壓。
4 腳CS 電流采樣輸入管腳
5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
電源芯片S1108SA適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。S1108SA集成有多種保護功能：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 過壓保護 (OVP)、逐周期限流保護 (OCP)、短路保護 (SLP) 和 VDD箝位等。