在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
氮化鎵快充芯片U8766通過(guò)HV管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過(guò)BOP恢復(fù)閾值VBOP_RE(典型值110V)，芯片將重新啟動(dòng)。
氮化鎵快充芯片U8766管腳特征：
1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
10 NC -
氮化鎵快充芯片U8766還集成有其他完備的保護(hù)功能，包括：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、輸出過(guò)流保護(hù)(SOCP)、內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)等。
氮化鎵快充芯片U8766采用峰值電流抖動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動(dòng)幅值最大為±8%。芯片根據(jù)輸入電壓的變化調(diào)節(jié)抖動(dòng)幅值，實(shí)現(xiàn)EMI優(yōu)化的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化輸出紋波。內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST (典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過(guò)程。