電源芯片很小的體積內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,核心的微型單元就包含成千上萬個在溫度和惡劣環(huán)境下工作的晶體管,隨著電子技術(shù)的更新?lián)Q代,半導(dǎo)體的廣泛使用,使其對電子元器件的要求也越來越高，部分元器件在研發(fā)的時候就扼殺了在實驗室,也有一部分死在了晶圓工廠，在使用過程中元器件也可能會因為使用不當、浪涌和靜電擊穿等原因而縮短壽命,芯片的死亡方式是多樣化的,通常有以下5種
1死于芯片的設(shè)計
芯片的設(shè)計制造要經(jīng)過一一個非常復(fù)雜的過程，可大體分為三個階段:前端設(shè)計(邏輯代碼設(shè)計)、后端設(shè)計(布線過程)、投片生產(chǎn)(制芯、測試與封裝),-顆高性能芯片在區(qū)區(qū)數(shù)百平方毫米的硅片上蝕刻數(shù)十億晶體管，晶體管間的間隔只有幾十納米，需要經(jīng)過幾百道不同工藝加工,一些芯片的失敗，很大部分原因是因為他們的設(shè)計過程更加特殊,舊方法不再適用于新的技術(shù)。
2死于芯片的制造
近年來,隨著技術(shù)的不斷進步,芯片工藝水平也得到逐步提高,較小的工藝制程能夠在同樣大小的硅片上容納更多數(shù)量的芯片,可以增加芯片的運算效率;也使得芯片功耗更小。但是,半導(dǎo)體器件的制造涉及到測量僅幾納米的結(jié)構(gòu),芯片尺寸的縮小也有其物理限制,摩爾定律正在逐漸失效,-粒塵埃可以摧毀晶圓片上的幾個裸片,如果裸片的尺寸變大,隨機失效的可能性就會增加。
3死于芯片ESD保護
通常,殺死芯片有多種方法,芯片會包含ESD保護,如果給芯片外部施加.5V電壓,那么在1nm的介質(zhì)上產(chǎn)生0.5mV/m的電場,這足以導(dǎo)致高壓電弧。對于封裝內(nèi)的單個裸片，他們的目標是2kJ這樣的標準。如果你試圖小化ESD,甚在這些Wide1/O接口或任何類型的多芯片接口通道上它,這意味若你無法按照你針對單芯片的相同標準對每個芯片進行真正的測試。它們經(jīng)過更的測試,因為它們的ESD保護很小，或者可能沒有ESD保護,即使在運行期間,ESD事件也可能導(dǎo)致問題。
4死于磁場對半導(dǎo)體影響
隨著智能手機、平板電腦終端的多功能化,其所需要的電源電壓也涉及多種規(guī)格,因此電源電路用電感器的使用數(shù)量呈現(xiàn)增加趨勢。電磁敏感性(EMS)是人們不得不擔心的問題,電磁干擾(EMI)是芯片向環(huán)境發(fā)出的噪聲,噪聲源來自有源電路，它會在電源/地線和信號線上產(chǎn)生電流,電源線地線將通過封裝到PCB。如果它看到封裝或PCB.上有天線結(jié)構(gòu),就會引起空氣輻射,然后通過天線結(jié)構(gòu)輻射到環(huán)境中產(chǎn)生干擾，注入測試是從150kH2開始注入1W，-直到1GHZ。在每個頻率,你會向系統(tǒng)注入1W的。如果你沒有足夠的保護,就會破壞沿路徑進入芯片的電路,或者引腳上的電壓可能過高如果電壓太高,就會產(chǎn)生過電應(yīng)變,
5死于芯片的操作
在很多情況下,糟糕的熱設(shè)計并不會導(dǎo)致瞬間災(zāi)難性的故障,甚不會導(dǎo)致產(chǎn)品平庸,但器件壽命會變短，電源企業(yè)在眾多環(huán)節(jié)上做投資,越來越多的半導(dǎo)體生產(chǎn)商都采用嵌入式電源來降低產(chǎn)品成本,也使得功率越來越高,功率越高也隨之造成了電子元器件的發(fā)熱,芯片發(fā)熱帶來的問題不僅僅是手機在口袋里變熱。它會導(dǎo)致晶體管和它們之間的連接退化。這可能會影響性能和可靠性。