采用氮化鎵技術(shù)的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會(huì)比硅基更低。氮化鎵技術(shù)可使功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場(chǎng)如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！
20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW 的超低待機(jī)功耗。
20W快充芯片U8722AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流可配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
20W快充芯片U8722AH主要特點(diǎn)：
*集成 650V E-GaN
*集成高壓?jiǎn)?dòng)功能
*超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW
*谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
*集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
*驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
*集成 Boost 供電電路
*集成完備的保護(hù)功能：
VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過(guò)載保護(hù) (OLP)
過(guò)流保護(hù) (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開(kāi)路保護(hù)
*封裝類型HSOP-7
20W快充芯片U8722AH采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音。
20W快充芯片U8722AH采用了谷底鎖定工作模式，在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無(wú)噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個(gè)數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過(guò)6個(gè)時(shí)，不再檢測(cè)谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過(guò)進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率，減小開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
隨著快充的不斷發(fā)展，氮化鎵技術(shù)正成為電力電子應(yīng)用的熱門話題。采用深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵快充芯片，可集成提供巨大的性能優(yōu)勢(shì)并使用GaN簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，幫助您更大程度地利用這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)！