年后開工開學，新一波的手機充電器需求也逐漸興起。特別是在國補政策優(yōu)惠力度極大的當下，消費者的購買熱情更甚年前。今天我們就基于小伙伴充電器項目的常規(guī)需求，給大家推薦一款市場口碑不錯且極具性價比的充電器芯片——U2281TMB。
充電器芯片U2281TMB啟動電流很低，小于10uA。因此，開關(guān)電源的啟動電路可以使用大電阻，這將盡量減少待機損耗。啟動電阻的典型電阻為4M歐姆。U2281TMB開關(guān)頻率內(nèi)部固定在65 kHz，在PCB設(shè)計中不需要外部頻率設(shè)置組件。
充電器芯片U2281TMB主要特性：
1.數(shù)字洗頻技術(shù)，以提高EMI性能。
2.固定的65 kHz PWM開關(guān)頻率。
3.內(nèi)置前沿消隱
4.內(nèi)置同步斜率補償，逐周期電流限制
5.低備用功耗（<75mW@AC 230V）
6.內(nèi)置軟啟動，管腳浮空保護
7.集成自恢復模式的保護功能：
VDD欠壓保護（UVLO）
VDD過壓保護 （OVP）
過熱保護（OTP）
逐周期電流限制
過載保護（OLP）
短路保護（SCP）
前沿消隱（LEB）
CS管腳開路保護
8.低啟動電流（<10uA@VDD=12V）
充電器芯片U2281TMB封裝形式SOT23-6，可做OB2263的替代，管腳如下：
1腳是VDD IC電源引腳。
2腳是 GND IC的接地。
3腳是FB反饋引腳。通過將光電耦合器連接到該引腳來實現(xiàn)環(huán)路調(diào)節(jié)。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測信號決定。
4 CS電流檢測輸入引腳。
5、6、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。
充電器芯片U2281TMB GATE引腳具有300mA的吸收電流和150mA的源電流能力，MOSFET將緩慢導通并快速關(guān)斷，從而使U2281TMB具有高效率和低輻射EMI。驅(qū)動電壓的最高電壓被箝位在12V。通過在電流檢測輸入電壓上增加電壓斜坡來集成斜率補償電路，從而產(chǎn)生PWM。這大大提高了CCM的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止了次諧波振蕩，從而降低了輸出紋波電壓。
深圳銀聯(lián)寶科技推出的充電器芯片方案，可以輕松滿足六級節(jié)能標準和EMC的要求，具有全面的保護功能，保證了系統(tǒng)的可靠性，不管是價格還是品質(zhì)都稱得上是“真香系列”。具體信息可直接搜索深圳銀聯(lián)寶科技，專人解答您的各種難題！