氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！
當(dāng)氮化鎵電源icU8765結(jié)溫超過TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動(dòng)。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下：
1 HV P 高壓啟動(dòng)管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
10 NC -
氮化鎵電源icU8765主要特性：
* 集成高壓 E-GaN
* 集成高壓啟動(dòng)功能
* 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW
* 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
* 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
* 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
* 集成 Boost 供電電路
* 集成完備的保護(hù)功能：VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù) (OVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過流保護(hù) (AOCP)、短路保護(hù) (SCP)、過載保護(hù) (OLP)、過流保護(hù) (SOCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開路保護(hù)
氮化鎵電源icU8765能夠有效散熱，提高產(chǎn)品的可靠性和長壽命。U8765的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景！