同步整流芯片的原理是利用MOSFET管作為開關(guān)，控制輸出電壓的變化。在MOSFET管導(dǎo)通時(shí)，能量從輸入端流向負(fù)載，同時(shí)輸出電壓上升；在MOSFET管截止時(shí)，負(fù)載上的電流會(huì)產(chǎn)生電感反向電勢(shì)，反向電勢(shì)會(huì)將能量反饋到輸入端，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。
U7611X系列同步整流芯片是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7611X 內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。
U7611X系列同步整流芯片的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。
PCB設(shè)計(jì)對(duì)同步整流的性能會(huì)產(chǎn)生顯著影響，設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考規(guī)格書內(nèi)容。包含U7611X系列同步整流芯片、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。
4. R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，U7611X系列同步整流芯片處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到 VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。
U7611X系列同步整流芯片能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，減小能量損耗，并且能夠?qū)⒇?fù)載產(chǎn)生的能量反饋到輸入端，從而提高效率?？梢詰?yīng)用于電源電路、DC-DC變換器等領(lǐng)域，有著廣泛的應(yīng)用前景。