相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說(shuō)是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
氮化鎵快充芯片U8765主要特性：
&集成高壓 E-GaN
&集成高壓?jiǎn)?dòng)功能
&超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW
&谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
&驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
&集成 Boost 供電電路
&集成完備的保護(hù)功能：
VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過(guò)載保護(hù) (OLP)
過(guò)流保護(hù) (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開(kāi)路保護(hù)
&封裝類(lèi)型 ESOP-10W
氮化鎵快充芯片U8765的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8765集成逐周期過(guò)流保護(hù)功能，在每個(gè)功率開(kāi)關(guān)開(kāi)通周期中，當(dāng)電流達(dá)到OCP閾值VCS_MAX (典型值 -650mV/-600mV)時(shí)，功率開(kāi)關(guān)立刻關(guān)閉。
氮化鎵快充芯片U8765管腳定義：
1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
10 NC -
因?yàn)?/span>大部分的用電設(shè)備都長(zhǎng)期工作在待機(jī)狀態(tài)，所以電源除了效率以外，空載或者待機(jī)功耗也變得越來(lái)越重要了。這不僅因?yàn)楦鞣N各樣的能效標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行，也確實(shí)很符合實(shí)際應(yīng)用的需求。深圳銀聯(lián)寶科技新推出多款低功耗、低成本氮化鎵快充芯片，集成有完備的保護(hù)功能，是快速充電器和適配器電源好幫手！