氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！
▲U8733LVds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。
▲U8733Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W
▲封裝不同：
U8733L采用HSOP-7封裝，具體腳位如下：
1 CS I/O電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O消磁檢測(cè)、輸出OVP檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
4 NTC I/O外置溫度檢測(cè)，過(guò)溫降功率和過(guò)溫保護(hù)功能。
5 GND P芯片參考地
6 VDD P芯片供電管腳
7 DRAIN P內(nèi)置高壓GaN FET漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
U8733采用ESOP-7封裝，具體腳位如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP /UVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 NTC I/O 外置溫度檢測(cè)，過(guò)溫降功率和過(guò)溫保護(hù)功能。
6、7 GND P 芯片參考地
8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。更多訊息，盡在銀聯(lián)寶，期待您的來(lái)電！