任何好的轉(zhuǎn)變都需要付出代價，同步整流電路也不例外，如何精準控制MOS管的開關(guān)成了同步整流的難點。選擇一款優(yōu)質(zhì)可靠的同步整流芯片，不僅能有效提高了電路的轉(zhuǎn)換效率，還可以降低設計成本。推薦銀聯(lián)寶同步整流芯片U7612！
同步整流芯片U7612快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。
同步整流芯片U7612PCB設計建議：
1)副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2)VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3)HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。
4)R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5)Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6)SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate 智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。
同步整流芯片U7612主要特點：
1)內(nèi)置 60V MOSFET
2)支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式
3)集成高壓供電電路，無需 VDD 輔助繞組供電
4)支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域
5)支持 High Side 和 Low Side 配置
6)<30ns 開通和關(guān)斷延時
7)智能開通檢測功能防止誤開通
8)智能過零檢測功能
9)啟動前 Gate 智能鉗位
10)封裝類型 SOP-8
深圳銀聯(lián)寶科技的這款同步整流芯片U7612，是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域，可靠性高，可控性好，被市場一致看好！