-
12V 1A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
-
10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
-
24W系列 12V2A能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
效率滿足 六級(jí)能效
啟動(dòng)電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過(guò)壓保護(hù)電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
-
18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
-
65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿足 六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
-
60W系列 12V5A能效六級(jí)方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75mW
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
啟動(dòng)電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制
-
48W系列 48W能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
-
10W系列5V2A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
-
5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
-
5V1.5A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
-
10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作。
輸出過(guò)壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
-
12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
-
5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
-
12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 *
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8733+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8733+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載
- 閱讀（7） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集
- 閱讀（10） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]5V2.1A電源方案推薦主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58
- 5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開關(guān)電源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有興趣的小伙伴可以來(lái)電詢問(wèn)詳細(xì)資料。今天簡(jiǎn)單介紹下！ 開關(guān)電源芯片U92143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用U92143可以工作無(wú)異音，同時(shí)可保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。利用集成的線損補(bǔ)償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。 開關(guān)電源芯片U92143集成有多種保護(hù)功能：如VDD欠壓保護(hù)(UVLO)
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦2025年04月03日 11:09
- E-GaN電源芯片U8722EE，推薦搭配銀聯(lián)寶同步整流芯片U7110W、U7612A，分別可做PD 45W、PD 30W方案，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景！ ■PD45W方案：U8722EE+U7110W 針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boos
- 閱讀（11） 標(biāo)簽：
相關(guān)搜索
熱點(diǎn)聚焦
銀聯(lián)寶--搶戰(zhàn)先機(jī)，穩(wěn)抓貨源
- 由于全球終端市場(chǎng)的嬗變...
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
傳 真：0755-23086550 郵 箱：001@elanpo.com
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)寶安大道4018號(hào)華豐國(guó)際商務(wù)大廈2501-2508
銀聯(lián)寶手機(jī)
招賢納士
