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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應,大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊60W開關電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制,無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護
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原邊12W開關電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
VDD欠壓保護,VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊5W開關電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
±4%恒壓恒流精度,支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制,無異音工作,
內(nèi)置專利的線損電壓補償,提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率,異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊50W開關電源芯片 SF5773
品牌:銀聯(lián)寶電子更多 +
型號:SF5773 SSR控制模式,
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW。
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商,大量投入工程研發(fā)以應對各類技術挑戰(zhàn),為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案,今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269! 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
- 閱讀(6) 標簽:
- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推薦輸出功率12V2A、12V3A,非標共板,方案成熟,性能可靠,可滿足更高性能要求、更低成本需求! 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET,最高工作頻率130kHz,有利于降低電源尺寸。特征如下: *原邊反饋控制,無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 *
- 閱讀(8) 標簽:
- [公司新聞]帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32
- 恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性,適用于一些功率要求嚴格的應用場景,如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS,不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性,同時也可以提高能源利用效率,使優(yōu)勢發(fā)揮到最大! 針對寬輸出電壓應用場合,為了滿足VDD的寬電壓應用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術,僅在SW管腳添加一顆貼片電
- 閱讀(5) 標簽:
- [公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳: 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管
- 閱讀(7) 標簽:
- [公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。但參數(shù)性能略有不同,今天就為各位小伙伴詳細拆解一下兩者不同之處! ▲U8733L Vds 耐壓650V,Rdson內(nèi)阻0.8R,ID電流2.5A,推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V,Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R,ID電流3.3A,推薦功率33W-45W ▲封裝
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