TB5812 是一款恒壓、恒流的原邊反饋控制芯片，內(nèi)置Vcbo為  800V 的功率三極管，廣泛應(yīng)用于小功率離線式充電器。

TB5812 采用多模式加QR控制，調(diào)幅控制和調(diào)頻控制相結(jié)合，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。恒流流輸出模式中，芯片采用調(diào)頻控制方式，同時(shí)集成了線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償。采用TB5812可以工作無異音，同時(shí)保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。

開關(guān)電源芯片TB5812 采用特有的輸出線損補(bǔ)償技術(shù)，可以有效的 補(bǔ)償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。

TB5812是銀聯(lián)寶新一代的恒壓、恒流控制芯片， 優(yōu)化了動(dòng)態(tài)響應(yīng)和驅(qū)動(dòng)等性。

TB5812 具有多重保護(hù)功能，包括開路保護(hù)，VDD過壓/欠壓/鉗位保護(hù)，短路保護(hù)、芯片過溫保護(hù)等功能。

TB5812 典型系統(tǒng)原理圖如下：

5V 2.1A 測(cè)試數(shù)據(jù)：

1. 待機(jī)功耗

2. 平均效率

   3.   溫升測(cè)試    

同步整流芯片TB4110

TB4110 是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效。 TB4110 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu), 同時(shí)支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。

TB4110內(nèi)置VDD 高壓供電模塊,無需VDD輔助繞阻供電,降低了系統(tǒng)成本。

內(nèi)部集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗。

內(nèi)置45V 功率MOSFET。

封裝類型: SOP-8。

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