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氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-05-09 11:32:05【

芯片恒功率控制,意味著無論負(fù)載變化如何,系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率,確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時(shí),主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng),以降低系統(tǒng)溫度,防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733,就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能,一起來看看!

氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能,在恒功率區(qū)間,通過控制輸出電流隨輸出電壓變化,實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度,當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度,保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。

氮化鎵PD快充芯片U8733是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8733的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。

氮化鎵PD快充芯片U8733特征:

 集成 700V E-GaN

 集成高壓啟動(dòng)功能

 超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

  , 調(diào)(220kHz,130kHz)

 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

 集成恒功率功能

 外置 OTP 及主動(dòng)降功率功能

 集成完備的保護(hù)功能:

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

外置過熱保護(hù)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

 封裝類型 ESOP-7

在實(shí)際應(yīng)用中,氮化鎵PD快充芯片U8733恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能協(xié)同工作,可以根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率,提高充電效率,并在高溫環(huán)境下保護(hù)系統(tǒng)不被過熱損壞。使得電源系統(tǒng)在各種工作條件下都能保持高效和穩(wěn)定,設(shè)計(jì)簡約合理,有利于項(xiàng)目降本增效!

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