基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的充電器ic U8623，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS，是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片。

■系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流

充電器ic U8623的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁 有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者更加輕松應(yīng)對(duì)能源之星6或者能效6級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)。

■頻率抖動(dòng)功能

充電器ic U8623采用專用的抖頻技術(shù)，在中心頻率的±5%范圍內(nèi)隨機(jī)選擇工作頻率，使得電 源系統(tǒng)的電磁兼容性能得到極大的。U8623內(nèi)置斜率補(bǔ)償功能用來(lái)消除次諧波震蕩。

■自適應(yīng)工作模式

充電器ic U8623根據(jù)FB腳電平自動(dòng)匹配工作模式，當(dāng)FB電平低于1.1V 時(shí)，芯片進(jìn)入打嗝工作模式，此模式下 芯片工作頻率為25KHz，最小導(dǎo)通時(shí)間為1.2uS；當(dāng)FB電平低于1.7V 時(shí)，芯片進(jìn)入變頻模式，此模式下芯片工作頻率在25K-65K 變動(dòng)，驅(qū)動(dòng)高電平時(shí)間由FB和CS電平控制；當(dāng)FB電平大于3.7V時(shí)，芯片進(jìn)入恒功率模式，此時(shí)芯片工作頻率為65KHz，PWM占空比由對(duì)應(yīng)的VOCP控制。

■恒功率輸出

充電器ic U8623具備恒功率輸出模式，當(dāng)FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對(duì)應(yīng)的VOCP來(lái)控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi) 的恒功率性能，對(duì)VOCP值根據(jù)占空比進(jìn)行補(bǔ)償。

■恒溫輸出

充電器ic U8623具備一定條件的恒溫模式，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度達(dá)到設(shè)定溫度范圍后，芯片內(nèi)部自動(dòng)啟動(dòng)恒溫模式、并開始降低輸出電流的模式來(lái)降低輸出功率直至溫度平衡，保證在極端情況下能不間斷輸出電力供應(yīng)。

充電器ic U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)，在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為22.5 W以內(nèi)的離線式反激開關(guān)變換器，滿足VI級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。采用SOP-8封裝形式并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果。