同步整流技術(shù)的出現(xiàn)，正是順應(yīng)了低壓大電流開關(guān)電源越來越成為目前一個重要的研究課題這一發(fā)展趨勢，為高效率二次電源的開發(fā)和應(yīng)用提供了強大的技術(shù)基礎(chǔ)。采用優(yōu)質(zhì)的同步整流ic，對于優(yōu)化和發(fā)展相關(guān)產(chǎn)品具有十分重要的利好作用。

15W同步整流ic U7712是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7712 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。U7712 內(nèi)部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。

15W同步整流ic U7712主要特性：

● 反激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)

● 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲

● 支持斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式(QR)

● <300uA 超低靜態(tài)電流

● 內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

● 內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

● 內(nèi)部集成保護：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

● 封裝信息 SOP-8

系統(tǒng)開機以后，15W同步整流ic U7712內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

15W同步整流ic U7712引腳說明：

1、2、3 GND P IC 參考地，同時也是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極。

4 VDD P IC 供電腳。

5、6、7、8 Drain I 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

在原邊MOSFET導通期間，15W同步整流ic U7712內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。U7712內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本！