開關(guān)電源芯片把開關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中，作用當(dāng)然是來簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、提高可靠性的。開關(guān)電源芯片U6113在同一晶元上集成了高壓功率MOSFET和控制器。此外，芯片還集成有高壓?jiǎn)?dòng)電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測(cè)電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

在開關(guān)電源芯片U6113內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時(shí)，5.8V的穩(wěn)壓器就會(huì)從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時(shí)候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運(yùn)行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，開關(guān)電源芯片U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降 ，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss電容。如圖芯片利用檢測(cè)到的流經(jīng)Crss電容的負(fù)向電流實(shí)現(xiàn)了電感電流過零點(diǎn)的檢測(cè)。

開關(guān)電源芯片U6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)芯片，工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。U6113設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)的EMI性能。