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內(nèi)置4A高壓MOS電源管理芯片U6203D

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-08-14 14:19:44【

想要在蒸蒸日上的電源管理芯片這個行業(yè)“芯”想事成,絕非易事。對半導體行業(yè)心懷熱情的深圳銀聯(lián)寶科技深耕多年,腳踏實地的走好每一步才擁有今天的市場口碑和客戶支持。正如這顆電源管理芯片 U6203D

電源管理芯片 U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動,內(nèi)置4A高壓MOS適合應用于高性能、低待機功耗、低成本離線AC-DC反激式拓撲結(jié)構(gòu)。采用DIP-7的封裝。優(yōu)異的動態(tài)響應能力,優(yōu)化的環(huán)路控制,無異音,SR(同步整流)兼容性高。效率滿足六級能效要求,副邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET,自動補償輸入電壓電感感量變化,實現(xiàn)高精度多模式PSR 控制提高可靠性和效率,內(nèi)置軟啟動,超低啟動電流,管腳浮空保護。

電源管理芯片 U6203D方案特點:

1. CC 工作模式:在CC工作狀態(tài),U6203D采樣FB引腳的信號(由輔助繞組信號通過電阻分壓),輔助繞組信號脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高,脈寬越小,同時振蕩頻率越高,這樣可獲得恒定的輸出電流。

2. 保護控制:U6203D含有豐富的保護功能,包括:逐周期過流保護、過壓保護、過溫保護、開環(huán)保護、輸出短路保護、CS電阻開/短路保護、VDD欠壓鎖定保護功能,并且這些保護具有自恢復模式。

3. CV 工作模式:在CV工作狀態(tài),U6203D使用脈沖采樣VFB電壓,并保持到下個采樣點。將采樣的電壓和VREF_CV基準比較,并放大誤差。這個誤差值代表負載情況,通過控制開關信號,調(diào)節(jié)輸出電壓,使得輸出恒定。

4. 高壓啟動控制:U6203D在啟動階段,采用高壓啟動技術,芯片啟動前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電,快速啟動。當VDD電壓達到VDDon,芯片開始工作的同時高壓啟動電路關斷;只要VDD電壓不低于VDDoff,芯片維持正常工作。啟動后,偏置電路通過輔助源供電,同時啟動電路只有一路極小的電流,實現(xiàn)低損耗。

電源管理芯片 U6203D采用恒流恒壓控制,綠色省電模式工作,在不同產(chǎn)品上測試運用,各項性能均滿足要求。典型輸出6W、10W、12W,方案成熟,成本可控!

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