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內(nèi)置MOS的初級主控手機快充芯片S1109

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掃一掃!內(nèi)置MOS的初級主控手機快充芯片S1109掃一掃!
瀏覽:- 發(fā)布日期:2022-03-16 11:46:00【

有的手機廠商為了與同品類手機做出差異化優(yōu)勢,在性能、屏幕、充電等賽道上持續(xù)耕耘,越來越多的新名詞讓用戶們眼花繚亂,消費者在購手機時還是需要貨比三家,在網(wǎng)上提前尋找本機的評價,以免踩坑。深圳銀聯(lián)寶科技作為手機快充芯片的制造商,質(zhì)量為先,服務(wù)至上,多年的經(jīng)營發(fā)展,備受客戶的青睞!

 

銀聯(lián)寶科技這款內(nèi)置MOS的初級主控手機快充芯片 S1109,主要特點如下:

1.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù)

2.±5% 恒流精度;±1%恒壓精度

3.待機功耗<75mW

4. 滿載固定65KHz開關(guān)頻率 ,輕載Burst Mode

5.綠色省電模式和打嗝模式工作

6.超低啟動和工作電流

7.集成抖頻功能優(yōu)化 EMI

8.集成內(nèi)部斜率補償?shù)碾娏髂J娇刂?/span>

9.集成線電壓和電感量補償?shù)暮懔骷夹g(shù)

10.集成自恢復(fù)模式的保護功能

 

手機快充芯片 S1109的腳位分析:

1腳是VDD IC電源引腳。

2腳是 GND IC的接地。

3腳是FB反饋引腳。 通過將光電耦合器連接到該引腳來實現(xiàn)環(huán)路調(diào)節(jié)。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測信號決定。

4 CS電流檢測輸入引腳。

56、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。

 

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