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雙N溝道的MOS管型號(hào)9926

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AP9926 mos是性能很高的溝槽N溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數(shù)小功率開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷,9926mos管符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,并獲得的功能可靠性認(rèn)證。

 AP9926 mos的高單元密度溝槽技術(shù)z柵極電荷z出色的Cdv / dt效應(yīng)下降z綠色器件可用,雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,VDS=20V、IDS=6A、PD=2W

 AP9926 mos灣脈沖測(cè)試:脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%,超出“大額定值”下列出的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞,這些僅是壓力等級(jí)和功能操作不暗示設(shè)備在這些或任何其他條件下超出規(guī)范操作部分所述的條件,暴露于大值延長(zhǎng)期的額定條件可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性。

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