同步整流管的驅(qū)動(dòng)控制仍然是同步整流技術(shù)的核心，不同的驅(qū)動(dòng)方式對(duì)同步整流技術(shù)的性能優(yōu)劣具有決定性的影響。高性?xún)r(jià)比的同步整流驅(qū)動(dòng)電路仍將是未來(lái)電力電子技術(shù)工程師努力和追求的目標(biāo)。同時(shí)，PCB設(shè)計(jì)對(duì)同步整流的性能會(huì)產(chǎn)生顯著影響，深圳銀聯(lián)寶科技推出的同步整流芯片U7715，設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。

1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。

2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3、R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路 Loop3 的面積可能小。

在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7715處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。

同步整流芯片U7715主要特性：

1、內(nèi)置 45V MOSFET

2、支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

3、集成高壓供電電路，無(wú)需 VDD 輔助繞組供電

4、支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

5、支持 High Side 和 Low Side 配置

6、<30ns 開(kāi)通和關(guān)斷延時(shí)

7、智能開(kāi)通檢測(cè)功能防止誤開(kāi)通

8、智能過(guò)零檢測(cè)功能

9、啟動(dòng)前 Gate 智能鉗位

10、封裝類(lèi)型 SOP-8

效率問(wèn)題始終是開(kāi)關(guān)電源發(fā)展的一個(gè)主旋律，同步整流技術(shù)的出現(xiàn)，正是順應(yīng)了這一發(fā)展趨勢(shì)。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7715內(nèi)部集成有智能開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通，提高系統(tǒng)效率及可靠性。