隨著六級能效的實施及快速充電技術(shù)的普及，同步整流在反激變換器中得到了電源工程師們的廣泛應(yīng)用。同步整流( SR )是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET取代整流二極管以降低損耗的一項新技術(shù)。它能提升轉(zhuǎn)換效率，并可利用其二次側(cè)的優(yōu)勢電源指標，符合開關(guān)電源小型化、高能效、智能化的發(fā)展趨勢。介紹這款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān)的同步整流芯片U7711給大家！

同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7711內(nèi)部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。

在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7711內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右?；诟哳l解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。初始階段同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于U7711內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值，故經(jīng)過開通延遲（Td_on，約200ns）后內(nèi)部MOSFET開通。

在同步整流 MOSFET 導通期間，同步整流芯片U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關(guān)斷。在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source) 之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤動作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在 LEB時間（約1us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。

同步整流芯片U7711價格實惠性能穩(wěn)定，后續(xù)供應(yīng)有保障，技術(shù)服務(wù)一直在線，歡迎選購！