同步整流芯片可以在不同的充電階段，精準(zhǔn)地控制電流和電壓，使得充電過(guò)程更加安全、快速。例如，當(dāng)手機(jī)電量較低時(shí)，同步整流芯片會(huì)調(diào)節(jié)充電器輸出較大的電流，以快速提升電量；而當(dāng)手機(jī)電量接近充滿時(shí)，它又會(huì)自動(dòng)減小電流，避免過(guò)充對(duì)電池造成損害。像蘋(píng)果、華為、小米等知名品牌的手機(jī)充電器中，都廣泛應(yīng)用了同步整流芯片，這也是這些充電器能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電的重要原因之一。

深圳銀聯(lián)寶同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7715內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

同步整流芯片U7715的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

同步整流芯片U7715封裝形式SOP-8，管腳名稱描述：

1/2/3 GND G IC 參考地

4 VDD PIC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個(gè)1μF的貼片陶瓷電容

5/6/7/8 SW P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7715處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。

PCB設(shè)計(jì)對(duì)同步整流的性能會(huì)產(chǎn)生顯著影響，同步整流芯片U7715設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。

1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。

2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3、R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路 Loop3 的面積可能小。