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    PFC肖特基 P5L45F-A


    在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
    在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
    在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
    在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快

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    		Type VF Level Die IF (A) VB (V) VF(V) 25℃ IR(uA) 25℃ VF(V) 125℃ IR(mA) 125℃ Package IFSM(A) Tj (℃)
    P5L45F-A MOS Schottky L 1 5 45 0.51 300 TBD 35 SMAF-A 150 -65~150
    PFS5L40 MOS Schottky L 1 5 40 0.47 500 0.4 100 DO-201AD 150 -65~150
    PFS5A60 MOS Schottky A 1 5 60 0.6 500 0.56 100 DO-201AD 150 -65~150
    PTS5L100 SLVF Schottky L  1 5 100 0.78 200 0.69 15 DO-201AD 130 -40~150
    PFS5L150 MOS Schottky L 1 5 150 0.86 100 0.73 20 DO-201AD 150 -65~150
    PFS5L200 MOS Schottky L 1 5 200 0.89 100 0.76 10 DO-201AD 150 -65~175
    P10V45SP MOS Schottky V 1 10 45 0.47 300 0.42 75 TO-277 275 -65~150
    PFS10L60 MOS Schottky L 1 10 60 0.56 500 0.53 100 DO-201AD 200 -65~150
    PFR10L60CT MOS Schottky L 2 10 60 0.52 500 0.47 100 TO-220AB 150 -65~150
    PTR10100CTB SLVF Schottky S 2 10 100 0.79 100 0.69 15 TO-263AB 100 -40~150
    PFR10L200CTF MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 ITO-220AB 150 -65~175
    PFR10L300CTF MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 ITO-220AB 150 -65~175
    P15V50SP MOS Schottky V 1 15 50 0.51 500 0.49 100 TO-277 275 -65~150
    PFR2045CT MOS Schottky S 2 20 45 0.54 500 0.52 100 TO-220AB 150 -65~150
    PFR20V45CT MOS Schottky V 2 20 45 0.47 500 0.42 100 TO-220AB 180 -65~150
    PFR2060CTF MOS Schottky S 2 20 60 0.7 500 0.65 100 ITO-220AB 150 -65~150
    PTR20L80CT SLVF Schottky L 2 20 80 0.67 300 0.64 20 TO-220AB 150 -40~150
    PTR20100CTB SLVF Schottky S 2 20 100 0.82 100 0.7 25 TO-263AB 150 -40~150