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PFC肖特基 PTR20V100CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR2045CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P15V50SP
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR10L300CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTS5L100
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P10V45SP
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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PFC肖特基 PTR20L80CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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PFC肖特基 PFS5A60
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PFC肖特基 PFR20L200CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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PFC肖特基 PFR10L200CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
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在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
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PFC肖特基 P5L45F-A
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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PFC肖特基 PFR2060CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
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PFC肖特基 PTR20100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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