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PFC肖特基 PFR2060CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20L100CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PT20L100D
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR20V45CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5L200
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5L150
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR10100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5L40
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
- [公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]具有雙LDO供電配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29
- 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開(kāi)通。 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)同步整流icU
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- [公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求，簡(jiǎn)化了電路布局！ 在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制
- 閱讀（19） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應(yīng)用主控2025年02月17日 14:48
- 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開(kāi)關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過(guò)電磁兼容性測(cè)試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。主要特征有： ●內(nèi)置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和
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- [公司新聞]銀聯(lián)寶同步整流芯片U7715精準(zhǔn)控制、高效轉(zhuǎn)換2024年12月23日 14:30
- 同步整流芯片可以在不同的充電階段，精準(zhǔn)地控制電流和電壓，使得充電過(guò)程更加安全、快速。例如，當(dāng)手機(jī)電量較低時(shí)，同步整流芯片會(huì)調(diào)節(jié)充電器輸出較大的電流，以快速提升電量；而當(dāng)手機(jī)電量接近充滿(mǎn)時(shí)，它又會(huì)自動(dòng)減小電流，避免過(guò)充對(duì)電池造成損害。像蘋(píng)果、華為、小米等知名品牌的手機(jī)充電器中，都廣泛應(yīng)用了同步整流芯片，這也是這些充電器能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電的重要原因之一。 深圳銀聯(lián)寶同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U77
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- [公司新聞]集成高壓供電電路快充同步整流ic U77152024年10月18日 14:42
- 集成度的提高和微電子制造技術(shù)的進(jìn)步使得同步整流ic在保持甚至提升性能的同時(shí)，體積也在不斷縮小，這為各種緊湊型電源設(shè)計(jì)提供了更多可能。另外，智能控制技術(shù)的應(yīng)用，如基于AI的負(fù)載適應(yīng)技術(shù)，將使同步整流ic能夠根據(jù)負(fù)載的實(shí)時(shí)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整工作狀態(tài)，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體效率和適應(yīng)性。 深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7715，是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7715內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上
- 閱讀（23） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]同步整流ic U7613電源方案怎么搭都好用2024年09月25日 15:17
- 同步整流電路靠性高，可控性好。在低壓大電流趨勢(shì)下，同步整流驅(qū)動(dòng)芯片被市場(chǎng)一致看好。深圳銀聯(lián)寶同步整流icU7613是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以在系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 ■IC 的啟動(dòng)和關(guān)機(jī) 在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流icU7613處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)
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- [公司新聞]60V MOSFET PD快充應(yīng)用同步整流ic U7612B2024年09月05日 10:09
- 同步整流技術(shù)采用導(dǎo)阻更低的MOSFET來(lái)替代傳統(tǒng)的肖特基二極管，從而大幅降低了整流電路的損耗。不僅提高了電源的整體效率，還滿(mǎn)足了當(dāng)今高功率快充技術(shù)對(duì)于體積方面的嚴(yán)苛要求。深圳銀聯(lián)寶科技的這一款PD快充應(yīng)用同步整流icU7612B，帶快速關(guān)斷功能，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流icU7612B主要特點(diǎn)： ●內(nèi)置 60V
- 閱讀（34） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]U7611X系列同步整流芯片產(chǎn)品效率明顯提升2024年08月07日 15:18
- 同步整流芯片的原理是利用MOSFET管作為開(kāi)關(guān)，控制輸出電壓的變化。在MOSFET管導(dǎo)通時(shí)，能量從輸入端流向負(fù)載，同時(shí)輸出電壓上升；在MOSFET管截止時(shí)，負(fù)載上的電流會(huì)產(chǎn)生電感反向電勢(shì)，反向電勢(shì)會(huì)將能量反饋到輸入端，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。 U7611X系列同步整流芯片是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7611X 內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置
- 閱讀（19） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]側(cè)重于PSR GAN的60V同步整流芯片U7613X2024年07月26日 14:48
- 同步整流芯片U7613X側(cè)重于PSR GAN，有U7613A、U7613B、U7613C三個(gè)型號(hào)，推薦輸出電壓3~12V，輸出電流3A，是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7613X主要特性： 內(nèi)置 60V MOSFET 支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式（DCM）、準(zhǔn)諧振工作模式（QR）和連續(xù)工作模式（CCM） 集成高壓供電電路，無(wú)需VDD輔助繞組供電 支持輸出低至0V，同步整流可靠工作 支持 High Side 和 Lo
- 閱讀（30） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]負(fù)端同步整流IC U7710可靠且高效2024年07月24日 10:29
- 隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，以及各種微處理器、IC芯片和數(shù)字信號(hào)處理器的普及應(yīng)用，使低電壓大電流輸出變換器的研究成為十分重要的課題之一。在低電壓大電流輸出的情況下，使用一般的二極管整流，整流損耗占了變換器總損耗的一半以上，很難達(dá)到高效率。使用同步整流技術(shù)則可以較大地減少整流損耗，從而提高變換器的效率?？梢栽囋囥y聯(lián)寶科技隆重推出的負(fù)端同步整流ICU7710，可靠且高效！ 負(fù)端同步整流IC U7710是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功
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