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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
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原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA
更多 +
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
效率滿足 六級(jí)能效
啟動(dòng)電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護(hù)電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿足 六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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60W系列 12V5A能效六級(jí)方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75mW
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
啟動(dòng)電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制
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10W系列5V2A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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5V1.5A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作。
輸出過壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
OTP過溫保護(hù)
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12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
- [公司新聞]30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH2025年05月20日 10:24
- CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)功能。此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí)，氮化鎵電源icU8724AH通過檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟
- 閱讀（3） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
- 閱讀（0） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
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