充電器芯片U6218C實現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設計
智能化設備的質(zhì)量與可靠性均與大多數(shù)的電磁兼容(EMC)、電磁干擾(EMI)問題有關(guān),而PCB的布局和堆疊設計是這其中重要的一環(huán)。充電器芯片U6218C設計的軟驅(qū)動功能的驅(qū)動電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設計有Gate高電平16V鉗位電路,以防止高VDD輸入時Gate受損。
PCB設計對電源的EMI,ESD等性能有顯著影響,充電器芯片U6218C設計原邊回路時建議參考以下內(nèi)容(詳盡資料可參照規(guī)格書):
● 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應盡可能小,同時走線應盡可能粗以優(yōu)化效率。
● RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應盡可能小。
● VDD 電容C3應緊貼芯片,保證VDD 回路(Loop3)的面積盡可能小。
● 如 Line1 所示,輔助繞組應直接連接到輸入容的地,以減少ESD能量對于芯片的干擾。
● 如 Line2 所示,VDD電容C3及FB下阻R5應先連接到芯片的GND管腳,再連接到輸入電容的地。
充電器芯片U6218C主要特性:
● 集成功率 MOSFET
● 高效率準諧振式原邊控制
● 高精度恒壓、恒流輸出
● 待機功耗 <75mW@265Vac
● 多模式原邊控制方式
● 工作無異音
● 優(yōu)異的動態(tài)響應
● 優(yōu)化的 EMI 性能
● 內(nèi)置線損補償
● 集成單點失效保護
● 集成完善的保護功能:
短路保護 (FB SLP)
過溫保護 (OTP)
FB 過壓保護 (FB OVP)
VDD 過欠壓保護和鉗位保護
● 封裝形式 SOP-8
為了滿足嚴苛的平均效率和待機功耗要求,充電器芯片U6218C采用了調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)結(jié)合的多模式控制技術(shù)。重載條件下,U6218C工作在準諧振狀態(tài),以保證優(yōu)異的效率和溫升性能。隨著負載降低,芯片先后進入調(diào)頻模式(FM)和調(diào)幅模式(AM),以達到提高輕載效率和降低噪音的目的。
深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的綠色節(jié)能充電器芯片,不僅可以幫助客戶降低產(chǎn)品的耗能和提升效率,還能實現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設計,促進高效和可持續(xù)的雙贏,提升電子設備的質(zhì)量與可靠性!
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