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電源芯片陣營S1108SA重拳出擊

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2021-12-01 15:12:30【

電源芯片S1108SA結合了一個專用的電流模式PWM4A/630V MOSFEET的模式控制器低待機功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本。

 

電源芯片S1108SA主要特點:

集成 650V MOSFET

±4% 恒流、恒壓精度

待機功耗<70mW

多模式原邊控制方式

工作無異音

優(yōu)化的動態(tài)響應

可調式線損補償

集成線電壓和負載電壓的恒流補償

集成完善的保護功能

 

電源芯片S1108SA引腳定義:

1 GND 芯片參考地。

2 VDD 芯片供電管腳

3 FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于光電耦合器相連,此腳位電壓決定了 PWM 驅動信號的占空比和 CS 管腳的關斷電壓。

4 CS 電流采樣輸入管腳

56、7、8 D 內置功率 MOSFET 漏極。

 

電源芯片S1108SA適用于12W范圍內的離線反激變換器輸出功率。S1108SA集成有多種保護功能:VDD 欠壓保護 (UVLO)VDD 過壓保護 (OVP)、逐周期限流保護 (OCP)、短路保護 (SLP) VDD箝位等。

 

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