QR模式在反激電源中被稱為準諧振反激模式，是DCM（不連續(xù)導電模式）的一種。它是指在磁芯能量完全釋放完畢后，變壓器的初級電感和MOS的結(jié)電容進行諧振，當MOS結(jié)電容放電到最低值時，初級開關(guān)管導通。此模式是集DCM的優(yōu)點及大部分缺點于一起，只是把其中的一項缺點做了優(yōu)化從而變成了優(yōu)點。就是加了谷底檢測功能，改善MOS的開通損耗，從而改善效率。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關(guān)電源芯片U8607！

開關(guān)電源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

開關(guān)電源芯片U8607主要特性：

● 原邊反饋控制，無需光耦和 TL431

● 集成 700V GaN FET 驅(qū)動

● 集成高壓啟動功能

● 谷底鎖定 QR 模式

● 最高工作頻率 130kHz

● 外置環(huán)路補償

● 驅(qū)動電流分檔配置

● 內(nèi)置線損補償

● 集成完善的保護功能

輸出短路保護 (FB SLP)

輸出過壓保護 (FB OVP)

輸入欠壓保護 (Line BOP)

輸出過壓保護 (Line OVP)

過溫保護 (OTP)

VDD 過欠壓保護和鉗位保護

● 封裝形式 ASOP7-T4

開關(guān)電源芯片U8607集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.25V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8607通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置 DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

開關(guān)電源芯片U8607采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8607采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音！